IGBT行業(yè)的發(fā)展和國外相比差距甚遠(yuǎn)，而造成這樣的原因有多方面，企業(yè)的發(fā)展和行業(yè)本身都存在限制其發(fā)展的因素。

IGBT的面臨的問題

首先，IGBT的市場規(guī)模偏小。目前，全球IGBT市場規(guī)模總共也就100億美元左右。作為對(duì)比，存儲(chǔ)芯片NAND FLASH和DRAM的市場規(guī)模則超過800億美元。由于投資人都是趨利的，肯定會(huì)優(yōu)先投資市場規(guī)模更大的芯片。這也是近年來，以紫光為代表的一批中國企業(yè)紛紛投資存儲(chǔ)芯片的原因之一。

其次，IGBT是一個(gè)紅海市場。目前，全球IGBT行業(yè)共有幾百家企業(yè)參與市場競爭，市場競爭異常激烈，而且IGBT市場規(guī)模的增長率和未來的增長潛力相對(duì)于手機(jī)主芯片、存儲(chǔ)芯片來說遜色不少。這又促使企業(yè)避開這個(gè)領(lǐng)域。

再次，國產(chǎn)化省錢作用不明顯。在很多領(lǐng)域，由于國內(nèi)企業(yè)做不出來，外商往往把產(chǎn)品賣出天價(jià)，然后國內(nèi)企業(yè)把產(chǎn)品做出來以后把價(jià)格白菜化。但I(xiàn)GBT行業(yè)則不然。之前說了，由于市場競爭非常激烈，行業(yè)的集中度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不像CPU、GPU、FPGA、NAND FLASH和DRAM等芯片這么高，這就使中國企業(yè)能夠買到比較便宜的產(chǎn)品。而且由于價(jià)格便宜，利潤不高，國內(nèi)企業(yè)即便做出可以和英飛凌匹敵的產(chǎn)品，也會(huì)因?yàn)槔麧櫹”o法收回研發(fā)成本而陷入資金鏈斷裂的困局。

最后，就是IGBT的優(yōu)先級(jí)不夠高。IGBT是功率器件，和CPU這類邏輯器件存在一個(gè)很大的差別，那就是一般不會(huì)像CPU那樣可以植入邏輯后門。也就是說購買國外IGBT，不會(huì)像購買CPU那樣存在安全風(fēng)險(xiǎn)。另外，雖然近年來中國在各個(gè)領(lǐng)域不斷取得突破，但現(xiàn)在中國受制于人的領(lǐng)域還有不少，比如CPU、GPU、FPGA、DSP、NAND FLASH和DRAM等等，就優(yōu)先度來說，CPU要比IGBT高不少。在這種情況下，國家也只能抓大放小，先把優(yōu)先度高的芯片做起來，在逐步解決優(yōu)先度更高的芯片之后，才有余力去解決IGBT。

企業(yè)的需求點(diǎn)和態(tài)度變化

從新能源汽車到工業(yè)品再到家電等消費(fèi)產(chǎn)品，下游企業(yè)對(duì)于IGBT的需求逐年在遞增，而不同場景對(duì)于產(chǎn)品的特征的需求也各不相同，最終反映在對(duì)供應(yīng)商的選擇上，高中低端分化趨勢(shì)明顯。

在新能源主機(jī)廠、tier1、工業(yè)客戶和大型家電品牌商看來，產(chǎn)品品質(zhì)和一致性放在首位，其次是產(chǎn)能和交期，最后再看成本，否則在上游缺貨時(shí)，再貴也會(huì)去搶貨。而在對(duì)國外品牌的依賴度上順次逐漸下降，但目前總量仍然以采購國外品牌為主導(dǎo)。需要注意的是，隨著去年中興事件“一石激起千層浪”，大型企業(yè)已經(jīng)對(duì)國產(chǎn)供應(yīng)商打開了大門，各類國產(chǎn)驗(yàn)證、替代考察正在逐層推進(jìn)中。

在低端工業(yè)品和小家電等類似“快消”類產(chǎn)品中，IGBT的選擇更傾向于追求性價(jià)比，也正因?yàn)榇耍谶@一類市場上國產(chǎn)品牌得到了長足滲透，已經(jīng)對(duì)國外大廠形成了大量替代，而隨著英飛凌等外廠開始將產(chǎn)能和商業(yè)重心移向未來更大的新能源汽車市場，也逐漸淡化了外廠在這一領(lǐng)域的影響力，更低毛利、更具性價(jià)比和市場推進(jìn)能力的國內(nèi)品牌已經(jīng)開始取而代之。

對(duì)于大品牌客戶來說，IGBT作為核心電力器件十分關(guān)鍵，在過去國內(nèi)品牌尚不成熟時(shí)期不敢貿(mào)然選擇或更換。而今，國產(chǎn)供應(yīng)商在低端場景的滲透加強(qiáng)，眾多小廠商的規(guī)模化使用已經(jīng)為大廠的驗(yàn)證逐漸埋下了伏筆。隨著國內(nèi)IGBT供應(yīng)商供貨逐漸趨于穩(wěn)定，替代常態(tài)化，品牌逐漸建立，國內(nèi)代工能力的提升，均為大廠采購國內(nèi)品牌奠定了良好的基礎(chǔ)。特別需要感謝的是中興事件的影響，不僅提升了國內(nèi)客戶對(duì)“卡脖子”的風(fēng)險(xiǎn)意識(shí)，也加速了對(duì)于國內(nèi)供應(yīng)商的接納步伐。

IGBT市場格局

從市場競爭格局來看，美國功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導(dǎo)體大廠，產(chǎn)品線齊全，無論是功率 IC 還是功率分離器件都具有領(lǐng)先實(shí)力。

日本功率器件廠商主要有 Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric 等等。日本廠商在分立功率器件方面做的較好，但在功率芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但很多廠商的核心業(yè)務(wù)并非功率芯片，從整體市場份額來看，日本廠商落后于美國廠商。但是全球有近70%的IGBT模塊市場被三菱、東芝及富士等日系企業(yè)控制。德系的英飛凌也是全球IGBT龍頭企業(yè)之一，其獨(dú)立式 IGBT 功率晶體以24.7%的市場占有率位居第一，IGBT 模塊則以20.5%的市場占有率位居第二。

2016年英飛凌以24.5%的份額高居榜首，日本三菱電機(jī)則以24.4%的份額屈居第二，另一日系大廠富士電機(jī)則以12.2%的占有率排行第三。在高壓大功率IGBT芯片方面，由于對(duì)IGBT芯片可靠性要求非常高，此前，我國還沒有一個(gè)廠家能夠?qū)崿F(xiàn)6500VIGBT芯片本土產(chǎn)業(yè)化，為此，國內(nèi)企業(yè)每年需花費(fèi)數(shù)億元從國外采購IGBT產(chǎn)品。

近年來，中國臺(tái)灣的功率芯片市場發(fā)展較快，擁有立锜、富鼎先進(jìn)、茂達(dá)、安茂、致新和沛亨等一批廠商。臺(tái)灣廠商主要偏重于 DC/DC 領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括線性穩(wěn)壓器、PWMIC(Pulse Width Modulation IC，脈寬調(diào)制集成電路)和功率MOSFET，從事前兩種 IC 產(chǎn)品開發(fā)的公司居多。總體來看，臺(tái)灣功率廠商的發(fā)展較快，技術(shù)方面和國際領(lǐng)先廠商的差距進(jìn)一步縮小，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)主板、顯卡、數(shù)碼產(chǎn)品和 LCD 等設(shè)備。

通過國外采購技術(shù)的時(shí)間也限制了現(xiàn)在的行業(yè)發(fā)展，也降低了國內(nèi)企業(yè)的行業(yè)競爭力，從這個(gè)方面來看，行業(yè)發(fā)展還需要在科技方面大力投入。