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【專題 | 「半導(dǎo)體設(shè)備」刻蝕機_薄膜沉積設(shè)備_半導(dǎo)體封裝設(shè)備】
薄膜沉積是半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的一個重要工藝,該工藝可以在晶圓上生長出導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層,是進行后續(xù)加工的基礎(chǔ)。根據(jù)原理不同,薄膜沉積工藝可分為物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)。
表1 ALD、CVD和PVD技術(shù)指標對比
(資料來源:五礦證券研究所,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心整理)
薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模隨下游需求高速增長,其中PECVD設(shè)備是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型
受益于晶圓廠、存儲、AMOLED以及光伏電站需求增加,薄膜沉積設(shè)備行業(yè)也快速發(fā)展。例如在新建晶圓廠的設(shè)備投資中,與晶圓制造相關(guān)的設(shè)備投資額約占總設(shè)備投資的80%,而薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的三大設(shè)備之一,其投資規(guī)模約占晶圓制造設(shè)備總投資的25%。根據(jù)Maximize Market Research統(tǒng)計,2020年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模為約172億美元,過去四年復(fù)合增長率為11.2%。
薄膜沉積工藝目前已經(jīng)形成了較為固定的工藝流程。在晶圓制造領(lǐng)域根據(jù)不同的應(yīng)用需求發(fā)展出了PECVD、LPCVD、ALD、濺射PVD等不同的設(shè)備,其中PECVD是占比最高的設(shè)備類型,占比約33%。前景較好的ALD設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場份額11%,但目前尚未大規(guī)模應(yīng)用。在整個薄膜沉積設(shè)備市場,屬于物理氣相沉積(PVD)的濺射PVD和電鍍ECD合計占23%。
圖1 各類薄膜沉積設(shè)備市場份額占比
(資料來源:Gartner,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心整理)
芯片工藝進步以及結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜提高薄膜設(shè)備需求,先進產(chǎn)線對薄膜設(shè)備需求量快速增加
薄膜在晶圓制造過程中的作用在于生成導(dǎo)電層或絕緣層,阻擋污染物和雜質(zhì)滲透,以及提高吸光率,并臨時阻擋刻蝕等重要作用。隨著晶圓制造工藝精密程度提升以及芯片復(fù)雜度提高,薄膜性能的要求也隨之提升,同時也衍生出各類新設(shè)備,其中以臺階覆蓋能力強、薄膜厚度控制精準的原子層沉積(ALD)設(shè)備為主要代表。除薄膜性能帶來產(chǎn)品升級換代需求外,由于先進制程帶來的多重曝光技術(shù)導(dǎo)致工序數(shù)和設(shè)備數(shù)大幅提高,所需的薄膜沉積設(shè)備數(shù)量也將隨之增加。此外,5G、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、人工智能等一系列技術(shù)及市場需求增加將推動先進制程占比提高,進一步增加薄膜沉積設(shè)備需求。
表2 不同制程邏輯芯片產(chǎn)線薄膜沉積設(shè)備需求
(資料來源:長江證券研究所,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心整理)
國內(nèi)市場國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備市占率僅2%,北方華創(chuàng)和沈陽拓荊處于領(lǐng)先地位
在競爭格局方面,根據(jù)Gartner公司數(shù)據(jù),全球CVD設(shè)備市場應(yīng)用材料(AMAT)占30%,泛林半導(dǎo)體(Lam)和東京電子(Tel)三大廠商占據(jù)了全球70%市場份額;全球PVD設(shè)備市場則被應(yīng)用材料基本壟斷,處于絕對龍頭地位;全球ALD設(shè)備市場中東京電子、先域(ASM)兩家合計占比60%。根據(jù)中國國際招標網(wǎng)數(shù)據(jù),目前中國薄膜沉積設(shè)備98%依賴進口,我國薄膜沉積設(shè)備市場長期被外資壟斷,國產(chǎn)替代空間巨大。
國內(nèi)北方華創(chuàng)和拓荊科技處于領(lǐng)先地位。北方華創(chuàng)的CVD、PVD設(shè)備已具備28nm工藝水平,更先進制程設(shè)備處于研發(fā)與驗證階段。北方華創(chuàng)突破了濺射源設(shè)計技術(shù)、等離子產(chǎn)生與控制技術(shù)、顆粒控制技術(shù)、腔室設(shè)計與仿真模擬技術(shù)等多項關(guān)鍵技術(shù),其PVD設(shè)備成功進入國際供應(yīng)鏈體系;拓荊科技的CVD和ALD設(shè)備已應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm制程產(chǎn)線,并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試,其中ALD設(shè)備以應(yīng)用在集成電路、OLED和先進封裝領(lǐng)域。
圖2 2019年全球CVD設(shè)備市場競爭格局
(資料來源:Gartner,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心)
圖3 2019年全球PVD設(shè)備市場競爭格局
(資料來源:Gartner,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心)
圖4 2019年全球ALD設(shè)備市場競爭格局
(資料來源:Gartner,金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心)
圖5 薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率
(資料來源:中國國際招標網(wǎng),金智創(chuàng)新行業(yè)研究中心)
結(jié)論
從經(jīng)濟發(fā)展規(guī)律看,雖然全球范圍內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備投資存在著較強的周期性,但近些年中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在市場需求和政策推動下,迎來了前所未來的發(fā)展機遇,各類資本投資熱情高漲,產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同效應(yīng)顯著增強。隨著以北方華創(chuàng)和拓荊科技的國內(nèi)企業(yè)技術(shù)不斷進步以及晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)擴張,中國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)將有希望保持高速增長。
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